Citrini分析师：苹果迫切需要中国DRAM和NAND产能，或正同步推进纳入供应链
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Citrini分析师：中国CXMT测试键合DRAM试产线，韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。 Samsung Electronics 正在“B1b”项目下开发自有键合 DRAM，SK hynix 也在推进类似技术。韩媒警告称，有评估认为 CXMT 目前可能在该技术本身及开发速度方面领先韩国竞争对手。
Citrini观点：NAND近期负面传言被过度放大，闪迪低价LTA是策略选择而非需求疲软，对存储赛道维持看多
火星财经消息，7 月 25 日，Citrini 分析师 Jukan 发文回应近期市场流传的 NAND 看空笔记与 QLC 价格谈判负面消息。闪迪与 Meta 签署长期协议时接受低于最初报价的价格并不令人意外，闪迪是 NAND 厂商中最积极争取 LTA 的一家，计划将超过 50% 的总出货量分配给此类协议，基于这一策略自然愿意接受低于当前季度合同价的 LTA 价格，不能因此推断「闪迪无法把全部订单无缝转卖给出价更高的北美客户」。 针对中国模组厂向国内 CSP 推销 eSSD 被拒的传闻 Jukan 解释称，中国 CSP 有直接向长江存储采购的渠道而非需求不足。至于超大规模云厂商压价 QLC eSSD 导致部分量卖不出去的说法，认为新云厂商有足够需求可以消化这些量。 Jukan 最后总结称，存储股表现不佳时负面标题更容易被放大，但基本面并未出现实质性恶化。重申「依然看多存储」。此前 Jukan 曾表示 DRAM 合约价至 2027 年底仍有约 40% 上涨空间、HBM 供应持续偏紧，此次对 NAND 端的澄清进一步巩固了其对整个存储赛道的看多立场。
Citrini：预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB记忆体市场或迈入长期供需紧张周期
BlockBeats 消息，7 月 16 日，市场研究机构 Citrini Research 最新预测，到 2030 年，全球 DRAM 市场仍将出现大规模供应缺口，规模预计达 28.7EB，约占当年总需求的 18%，对比今年全球总产能约 40EB。 根据 Citrini 的研究员 Zephyr 分享的数据，2030 年全球 DRAM(含 HBM) 需求预计达 157.5EB，供应能力仅约 128.8EB；其中普通 DRAM 将是最大瓶颈，预估供应约每年 91EB，需求却高达 120EB，缺口比例将从目前的 18% 扩大至 25% 左右。 报告强调，即便三星、SK 海力士、美光及中国厂商持续扩产，新增产能仍可能被飞涨的 AI 需求快速吸收。造成供需失衡的核心在于 AI 基础设施爆发，因大模型训练推理、HBM 成为 AI 加速器核心，连带推升传统服务器 DRAM 需求。在紧平衡下，DRAM 平均售价 (ASP) 可能长期维持高位，预计落在每 Gb1.5-2 美元，伺服器、PC 及消费电子记忆体成本将持续承压。
Apple开始测试CXMT DRAM，用于在中国销售设备
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据 FT 报道，Apple 已开始测试 CXMT 的 DRAM，用于在中国销售的 Apple 设备。
Citrini：AMD和苹果同时推进AI产品中闪存部分替代DRAM方案
火星财经消息，6 月 16 日，「AI 末日报告」发布机构 Citrini Research 发文表示，AMD 和苹果目前已在同时推进 AI 产品中闪存部分替代 DRAM 方案。其中，AMD 收购 MEXT 优化闪存，使其性能接近 DRAM，从而降低 AI 数据中心内存成本；苹果则通过「LLM in a flash」技术在设备端实现类似优化。 根据 Citrini 最新研究报告，AI 推理中 KV 缓存对内存的高需求，以及 HBM 已占 DRAM 产能 25% 的「内存税」压力。而闪存成本仅为 DRAM 的 1/55，通过控制器优化、NAND 堆叠和单元模式调整，可为边缘 AI 提供容量与带宽的替代方案。 上述报告为近期以闪迪为代表的存储股持续大涨提供了理论支持。
存储市场迎涨价潮：DRAM、NAND供应紧张，AI需求推动产业链扩产
火星财经消息，8 月 4 日，存储市场持续升温，多家机构预计 DRAM、NAND 价格将在供应紧张和 AI 算力需求推动下继续上涨。 SK 海力士与闪迪已发布首份高带宽闪存（HBF）标准规范，推动新型存储技术发展。同时，韩国单层 NAND 产品 7 月平均售价环比上涨 35%，创历史新高。 TrendForce 预计，由于供应短缺，2026 年第三季度 PC DRAM 固定交易价格或环比上涨 15% 至 20%。另有消息称，全球三大存储厂商已完成 2027 年全年产能分配谈判，DRAM 和 HBM 产能基本售罄。 产业链方面，三星电子晶圆代工业务预计年内产能利用率达到 100%。Counterpoint 数据显示，三星电子正在扩大 DRAM 市场份额优势，美光与 SK 海力士的竞争进一步加剧。 终端市场方面，内存供应紧张已影响消费电子产品供应。有消息称，MacBook Air 因内存短缺出现供货紧张。 此外，韩国 AI 芯片独角兽 DeepX 估值据称飙升 4 倍至 3.14 万亿韩元，显示 AI 芯片及存储产业链热度持续提升。