Citrini观点：大幅上调三星电子盈利预测，2028年营业利润有望突破770万亿韩元，自由现金流与股东回报同步飙升
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Citrini观点：NAND近期负面传言被过度放大，闪迪低价LTA是策略选择而非需求疲软，对存储赛道维持看多
火星财经消息，7 月 25 日，Citrini 分析师 Jukan 发文回应近期市场流传的 NAND 看空笔记与 QLC 价格谈判负面消息。闪迪与 Meta 签署长期协议时接受低于最初报价的价格并不令人意外，闪迪是 NAND 厂商中最积极争取 LTA 的一家，计划将超过 50% 的总出货量分配给此类协议，基于这一策略自然愿意接受低于当前季度合同价的 LTA 价格，不能因此推断「闪迪无法把全部订单无缝转卖给出价更高的北美客户」。 针对中国模组厂向国内 CSP 推销 eSSD 被拒的传闻 Jukan 解释称，中国 CSP 有直接向长江存储采购的渠道而非需求不足。至于超大规模云厂商压价 QLC eSSD 导致部分量卖不出去的说法，认为新云厂商有足够需求可以消化这些量。 Jukan 最后总结称，存储股表现不佳时负面标题更容易被放大，但基本面并未出现实质性恶化。重申「依然看多存储」。此前 Jukan 曾表示 DRAM 合约价至 2027 年底仍有约 40% 上涨空间、HBM 供应持续偏紧，此次对 NAND 端的澄清进一步巩固了其对整个存储赛道的看多立场。
Citrini分析师：不要低估长江存储竞争力，NAND闪存将持续短缺
BlockBeats 消息，7 月 23 日，Citrini 分析师 Jukan 在社交媒体发文表示，「不要低估长江存储（YMTC）的竞争力。NAND 闪存目前仍然处于供应紧张状态，而且这种短缺还将持续。 据悉，英伟达的 CMX 机柜目前受 NAND 供应短缺影响严重，甚至无法满配出货。一些准备采购 CMX 机柜的客户，据称还被要求自行采购部分 NAND，用于完成整机配置。 我并不是 NAND 的看空者。长江存储目前仍然高度依赖消费级市场，其竞争力不容忽视，但这并不意味着它会导致 NAND 市场重新进入供过于求的局面。」
高盛观点：存储市场显露结构性变化，NAND部分替代DRAM用以降本成为实际趋势
BlockBeats 消息，7 月 16 日，Citirni 分析师 Jukan 引述高盛月度电话会议的内存板块点评，客户对 DRAM 接近 30% 的价格涨幅表现出强烈抵制，因此小幅下调第三季度 DRAM 价格增长预期。与此同时 NAND 前景变得更为乐观——AI 相关的 KV Cache 卸载需求持续超预期，叠加市场上出现用 NAND 替代昂贵 DRAM 的新兴趋势，进一步支撑 NAND 需求。分析师对 SK 海力士第二季度业绩持正面看法，预计营收约 85 万亿韩元，毛利率高达 63%，相关标的包括 SK 海力士、美光及闪迪。 点评还透露出存储市场的结构性变化。此前 AI 服务器对 HBM 的爆发式需求带动 DRAM 价格飙升，但当涨幅触及 30% 后客户开始抗拒继续涨价，涨价斜率面临阶段性放缓。而 NAND 正在抢占 AI 基础设施中的新角色——KV Cache 在推理场景中至关重要，用较便宜的 NAND 部分替代昂贵的 DRAM 以降低成本正在成为实际趋势。这种分化也意味着存储产业链内部资金轮动或将延续，投资者对 DRAM 相关标的短期盈利预期需更谨慎，而 NAND 端的基本面改善可能还未被充分定价。
Citrini：预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB记忆体市场或迈入长期供需紧张周期
BlockBeats 消息，7 月 16 日，市场研究机构 Citrini Research 最新预测，到 2030 年，全球 DRAM 市场仍将出现大规模供应缺口，规模预计达 28.7EB，约占当年总需求的 18%，对比今年全球总产能约 40EB。 根据 Citrini 的研究员 Zephyr 分享的数据，2030 年全球 DRAM(含 HBM) 需求预计达 157.5EB，供应能力仅约 128.8EB；其中普通 DRAM 将是最大瓶颈，预估供应约每年 91EB，需求却高达 120EB，缺口比例将从目前的 18% 扩大至 25% 左右。 报告强调，即便三星、SK 海力士、美光及中国厂商持续扩产，新增产能仍可能被飞涨的 AI 需求快速吸收。造成供需失衡的核心在于 AI 基础设施爆发，因大模型训练推理、HBM 成为 AI 加速器核心，连带推升传统服务器 DRAM 需求。在紧平衡下，DRAM 平均售价 (ASP) 可能长期维持高位，预计落在每 Gb1.5-2 美元，伺服器、PC 及消费电子记忆体成本将持续承压。
Jukan：长江存储武汉Fab 3进入投产冲刺，闪存竞争压力或进一步上升
BlockBeats 消息，9 月 15 日，Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发文称，长江存储（YMTC）已开始为武汉第三座晶圆厂 Fab 3 全面接入生产设备，意味着该厂正进入投产前的最后阶段，初步运营预计将于今年年底启动。 Jukan 认为，Fab 3 此次加速推进值得关注，因为 YMTC 正在市场份额快速提升的同时继续扩大产能。Fab 3 满产后预计每月可生产约 10 万片 12 英寸晶圆，后续还将随着设备持续搬入和良率提升分阶段扩产。 Jukan 指出，Counterpoint Research 数据显示，YMTC 今年第二季度已占全球 NAND 比特出货量 14%，超过铠侠升至全球第三，仅次于三星电子的 25% 和 SK 海力士的 22%。如果 Fab 3 新增产能顺利释放，闪存市场的供应竞争预计将进一步加剧。 Jukan 尤其关注 YMTC 在美国出口管制背景下提高国产设备占比并持续扩产的能力。他认为，这可能让 YMTC 以更快速度缩小与三星、SK 海力士等传统闪存巨头之间的差距。 Jukan 援引业内人士称，YMTC 扩产短期内不太可能立即造成闪存供过于求，但由于其依托中国本土市场持续扩大产量和份额，长期来看可能成为现有闪存厂商面临的一项竞争负担。
铠侠拟推动NAND闪存替代部分DRAM
火星财经消息,据报道，铠侠正推动将NAND闪存用于部分服务器DRAM所承担的工作。公司正在让客户评估一款CXL内存扩展模块，称采用该模块替代部分DRAM后，可将内存容量提升一倍、性能提高30%。不过，上述性能数据为公司测试结果，尚未得到独立验证。铠侠还计划于2028年开始向客户提供可直接连接英伟达GPU的SSD样品。(财联社)